中國(guó)教育報(bào)-中國(guó)教育新聞網(wǎng)訊（記者 任朝霞）“在一眨眼的時(shí)間內(nèi)，超級(jí)閃存已經(jīng)工作了10億次，原來(lái)的U盤只能1000次?！苯?，復(fù)旦大學(xué)周鵬/劉春森團(tuán)隊(duì)成功研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，擦寫速度達(dá)到亞1納秒（400皮秒），是人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)器件。

隨著人工智能（AI）時(shí)代的到來(lái)，計(jì)算范式正從傳統(tǒng)的邏輯運(yùn)算逐漸轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的計(jì)算模式，現(xiàn)有的分級(jí)存儲(chǔ)架構(gòu)難以滿足計(jì)算芯片對(duì)極高算力和能效的需求，亟需存儲(chǔ)技術(shù)的突破來(lái)實(shí)現(xiàn)變革。針對(duì)AI計(jì)算所需的算力與能效要求，信息存取速度直接決定了算力上限，而非易失性存儲(chǔ)技術(shù)則成為實(shí)現(xiàn)超低功耗的關(guān)鍵。因此，破局在于解決集成電路領(lǐng)域最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題：信息的非易失存取速度極限。

目前速度最快的存儲(chǔ)器均為易失性存儲(chǔ)器，例如靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）。這類存儲(chǔ)器的速度極限約為3T（即晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間的三倍，低于1納秒），代表了當(dāng)今信息存取速度的最高水平。然而，其斷電后數(shù)據(jù)丟失的特性限制了其在低功耗場(chǎng)景下的應(yīng)用。相比之下，以閃存（Flash）為代表的非易失性存儲(chǔ)器雖然具備極低功耗優(yōu)勢(shì)，但由于其電場(chǎng)輔助編程速度遠(yuǎn)低于晶體管開(kāi)關(guān)速度，難以滿足AI計(jì)算對(duì)數(shù)據(jù)極高速存取的需求。

復(fù)旦大學(xué)周鵬/劉春森團(tuán)隊(duì)基于器件物理機(jī)制的創(chuàng)新，持續(xù)推進(jìn)高速非易失性閃存技術(shù)的研發(fā)。通過(guò)巧妙結(jié)合二維狄拉克能帶結(jié)構(gòu)與彈道輸運(yùn)特性，調(diào)制二維溝道的高斯長(zhǎng)度，從而實(shí)現(xiàn)溝道電荷向存儲(chǔ)層的超注入。這一超注入機(jī)制與現(xiàn)有閃存電場(chǎng)輔助注入規(guī)律截然不同：傳統(tǒng)注入規(guī)律存在注入極值點(diǎn)，而超注入則表現(xiàn)為無(wú)限注入。團(tuán)隊(duì)構(gòu)建了準(zhǔn)二維高斯模型，成功從理論上預(yù)測(cè)了超注入現(xiàn)象，并據(jù)此研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲(chǔ)SRAM技術(shù)?！捌茣浴贝鎯?chǔ)器件的穩(wěn)定性高度依賴工藝流程的一致性。通過(guò)AI算法對(duì)工藝測(cè)試條件實(shí)現(xiàn)科學(xué)優(yōu)化，極大推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與落地。

閃存作為性價(jià)比最高、應(yīng)用最廣泛的存儲(chǔ)器，一直是國(guó)際科技巨頭技術(shù)布局的基石。團(tuán)隊(duì)研發(fā)的突破性高速非易失閃存技術(shù)，不僅有望改變?nèi)虼鎯?chǔ)技術(shù)格局，進(jìn)而推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)并催生全新應(yīng)用場(chǎng)景，還為我國(guó)在相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)引領(lǐng)提供強(qiáng)有力支撐。

北京時(shí)間4月16日，相關(guān)研究成果以《亞納秒超注入閃存》為題發(fā)表于《自然》雜志。